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J-GLOBAL ID：200903000584238670

積層セラミックコンデンサおよびその製法

Inventor：
山崎 洋一

About 山崎 洋一


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007251563
Publication number (International publication number)：2008109120
Application date： Sep. 27, 2007
Publication date： May. 08, 2008
Summary：
【課題】 結晶粒子の平均粒径が0.5μmよりも小さくしても高誘電率であり、また、比誘電率の温度変化率が小さく、かつ高温負荷寿命を向上できる積層セラミックコンデンサおよびその製法を提供する。【解決手段】 誘電体層5が、チタン酸バリウム100モル部に対して、MgをMgO換算で0.5〜2モル部、MnをMnO換算で0.2〜0.5モル部、Ho、Y、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれる1種の第1希土類元素と、Sm、Eu、Gd、TbおよびDyから選ばれる1種の第2希土類元素とを含み、前記誘電体層5を構成する結晶粒子の平均結晶粒径が0.15〜0.3μmであり、かつ第1希土類元素の結晶粒子の粒界から中心部への濃度勾配が-0.005〜-0.05原子%/nmであり、かつ第2希土類元素の結晶粒子の粒界から中心部への濃度勾配が-0.0005〜-0.005原子%/nmである。【選択図】 図2
Claim 1：
誘電体層と、該誘電体層間に形成された内部電極層と、該内部電極層に電気的に接続された外部電極とを具備する積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とし、平均結晶粒径が0.15〜0.3μmの結晶粒子を有し、前記チタン酸バリウム100モル部に対して、マグネシウムをMgO換算で0.5〜2モル部、マンガンをMnO換算で0.2〜0.5モル部、ホルミウム、イットリウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムから選ばれる1種の第1希土類元素およびサマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウムおよびジスプロシウムから選ばれる1種の第2希土類元素をRE2O3換算した合計で0.7〜3モル部含有するとともに、前記結晶粒子が、前記第1希土類元素と前記第2希土類元素とを第1希土類元素量が第2希土類元素量よりも多くなるように含有し、かつ前記第1希土類元素の前記結晶粒子の粒界から中心部における濃度勾配が-0.005原子%/nm以上、-0.05原子%/nm以下であるとともに、前記第2希土類元素の前記結晶粒子の粒界から中心部における濃度勾配が-0.0005原子%/nm以上、-0.005原子%/nm以下である誘電体磁器からなることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (4)：
H01G 4/12 ,  H01G 4/30 ,  C04B 35/628 ,  C04B 35/46
FI (5)：
H01G4/12 358 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301E ,  C04B35/00 B ,  C04B35/46 D
F-Term (50)：
4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA16 ,  4G030AA25 ,  4G030BA09 ,  4G030CA04 ,  4G030CA08 ,  4G030GA07 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA20 ,  4G030GA26 ,  4G030GA27 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031BA09 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA03 ,  4G031GA06 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE05 ,  5E001AJ02 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC15 ,  5E082BC19 ,  5E082BC39 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG54 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06 ,  5E082PP09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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