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J-GLOBAL ID:200903000584816282

半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991168568
Publication number (International publication number):1993021403
Application date: Jul. 10, 1991
Publication date: Jan. 29, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体基板上の酸化膜の除去方法に関し,処理速度の増加と処理温度の低温化を目的とする。【構成】 1)真空または水素雰囲気中で,シリコン基板上に被着されたシリコンの酸化膜にシンクロトロン放射光を照射する第一工程と,次いで,該酸化膜を除去する第二工程とを有するように構成する。2)前記第二工程がウエットエッチングあるいはプラズマエッチングあるいは還元雰囲気中での加熱処理であるように構成する。
Claim (excerpt):
真空または水素雰囲気中で,シリコン基板上に被着されたシリコンの酸化膜にシンクロトロン放射光を照射する第一工程と,次いで,該酸化膜を除去する第二工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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