Pat

J-GLOBAL ID：200903000586135037

イオン注入装置

Inventor： 澤田 秀行
Applicant, Patent owner： 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (3)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003180846
Publication number (International publication number)：2005019128
Application date： Jun. 25, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】ウエーハの帯電を確実に防止することが可能なイオン注入装置及びその制御方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハ1を載置するウエーハセット台2と、載置された半導体ウエーハ1にイオンビームを照射する手段3と、イオンビームに電荷を供給し、電気的に中性にする帯電防止手段9と、ウエーハセット台2及びウエーハセット台2の外周部で前記イオンビームの照射される領域に設けられるブロック4におけるイオンビームの照射量を検出する手段7と、検出された照射量に基づき、半導体ウエーハに適正な電荷を供給するように、帯電防止手段の動作を制御する手段8を備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハを載置するウエーハセット台と、 載置された前記半導体ウエーハにイオンビームを照射する手段と、 前記イオンビームに電荷を供給し、電気的に中性にする帯電防止手段と、 前記ウエーハセット台及び前記ウエーハセット台の外周部で前記イオンビームの照射される領域に設けられるブロックにおける、イオンビームの照射量を検出する手段と、 検出された前記照射量に基づき、前記半導体ウエーハに適正な電荷を供給するように、前記帯電防止手段の動作を制御する手段を備えることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (4)：

H01J37/317 ,  C23C14/48 ,  H01J37/20 ,  H01L21/265

FI (4)：

H01J37/317 C ,  C23C14/48 C ,  H01J37/20 H ,  H01L21/265 N

F-Term (9)：

4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  5C001AA01 ,  5C001AA08 ,  5C001BB07 ,  5C001CC07 ,  5C034CC13 ,  5C034CD01