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J-GLOBAL ID：200903000593030879

半導体装置用リードフレームの製造方法

Inventor： 森 修治 ,  中村 博
Applicant, Patent owner： 株式会社三井ハイテック
Agent (1)： 中前 富士男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996332887
Publication number (International publication number)：1998163397
Application date： Nov. 27, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 接着剤及び封止樹脂との密着性がよく、更にワイヤボンディング性及びはんだ濡れ性のよい半導体装置用リードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】 金属帯条材から半導体装置用リードフレームの所要形状を備えたリードフレーム部材10を形成する第1工程と、リードフレーム部材10の表面に直接又は下地めっき層11を介してPdめっき層12を形成する第2工程と、Pdめっき層12の上に、更に耐熱性貴金属めっき層13を形成する第3工程と、前記工程において、Pdめっき層12及び耐熱性貴金属めっき層13が形成されたリードフレーム部材10を真空又は非酸化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理を行い、耐熱性貴金属めっき層13中にPdを拡散させる第4工程と、第4工程で拡散処理が行われたリードフレーム部材10を酸化雰囲気炉に入れて加熱処理を行い、表面に拡散したPdの酸化処理を行う第5工程とを有する。

Claim (excerpt)：

最上層にPd酸化物と、Au、Ag、Pt等の耐熱性貴金属との拡散層を設けた半導体装置用リードフレームの製造方法であって、金属帯条材からプレス加工又はエッチング加工により、半導体装置用リードフレームの所要形状を備えたリードフレーム部材を形成する第1工程と、前記リードフレーム部材の表面に直接又は下地めっき層を介してPdめっき層を形成する第2工程と、前記Pdめっき層の上に、更にAu、Ag、Pt等の耐熱性貴金属めっき層を形成する第3工程と、第2工程及び第3工程において、前記Pdめっき層及び耐熱性貴金属めっき層が形成されたリードフレーム部材を真空又は非酸化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理を行い、前記耐熱性貴金属めっき層中にPdを拡散させる第4工程と、第4工程で拡散処理が行われたリードフレーム部材を酸化雰囲気炉に入れて加熱処理を行い、表面に拡散した前記Pdの酸化処理を行う第5工程とを有することを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。