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J-GLOBAL ID：200903000594228923

薄膜デバイスおよびその製造方法

Inventor： 折付 良二 ,  山本 英明 ,  松丸 治男 ,  堀井 寿一 ,  香西 甲矢夫 ,  高畠 勝 ,  鈴木 隆 ,  三村 秋男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992144135
Publication number (International publication number)：1993333378
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 製造コストを安価にする。【構成】 窒化シリコン膜上にレジストを形成し、絶縁膜GIの透明画素電極ITO1を形成すべき位置に穴部HOPを設け、レジスト上に透明導電膜を設けたのち、レジストを除去することにより、穴部HOPに透明画素電極ITO1を形成する。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタと画素電極とを画素の一構成要素とする薄膜デバイスにおいて、ゲート絶縁膜として使用される絶縁膜に穴部を設け、上記穴部に上記画素電極を形成したことを特徴とする薄膜デバイス。

IPC (5)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784