Pat
J-GLOBAL ID:200903000636078889
高周波素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999000434
Publication number (International publication number):2000201009
Application date: Jan. 05, 1999
Publication date: Jul. 18, 2000
Summary:
【要約】【課題】 アンテナ、フィルタ、ミクサすべて超伝導からなる高周波素子、あるいは能動素子が化合物半導体からなる高周波素子は、性能を上げるためアンテナと高周波回路を同一基板上に形成しようとすると、サイズが大きくなり高価になってしまう。さらに、化合物半導体からなる高周波素子においては、アンテナと高周波回路を配線でつなぐと高周波になるほど損失が大きくなってしまう。【解決手段】 アンテナ1をシリコン基板2上に形成し、該アンテナと高周波回路を積層する。さらにアンテナ1で受けた信号をスロットアンテナ3で下の高周波回路に落とす。
Claim (excerpt):
高周波回路とアンテナを積層して集積化した高周波素子であって、アンテナをシリコン基板に形成したことを特徴とする高周波素子。
IPC (2):
H01Q 1/38 ZAA
, H01L 39/00 ZAA
FI (2):
H01Q 1/38 ZAA
, H01L 39/00 ZAA Z
F-Term (6):
5J046AA07
, 5J046AA19
, 5J046AB03
, 5J046AB08
, 5J046AB13
, 5J046PA07
Return to Previous Page