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J-GLOBAL ID：200903000638019103

半導体装置における接続孔の形成方法

Inventor： 水村 章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996110464
Publication number (International publication number)：1997275140
Application date： Apr. 05, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】上層導体と接続孔との間の耐圧劣化や短絡発生を防止することができ、しかも、下層導体と接続孔との間の電気的接続を確実に行うことを可能にする、半導体装置における接続孔の形成方法を提供する。【解決手段】本発明の方法は、(イ)それぞれの側壁にサイドウオール14が形成された2本の上層導体12,13、並びに該2本の上層導体の間に位置し且つそれらの下方に位置する下層導体15をエッチングストッパー膜20で被覆する工程と、(ロ)少なくとも該上層導体の上方の該エッチングストッパー膜上に、絶縁膜21を物理的気相成長法にて形成する工程と、(ハ)全面に層間絶縁層22を形成する工程と、(ニ)該層間絶縁層22から前記下層導体15まで延びる開口部24を形成する工程と、(ホ)該開口部24内を導電材料で埋め込み、以て、接続孔を形成する工程から成る。

Claim (excerpt)：

(イ)それぞれの側壁にサイドウオールが形成された2本の上層導体、並びに該2本の上層導体の間に位置し且つそれらの下方に位置する下層導体をエッチングストッパー膜で被覆する工程と、(ロ)少なくとも該上層導体の上方の該エッチングストッパー膜上に、絶縁膜を物理的気相成長法にて形成する工程と、(ハ)全面に層間絶縁層を形成する工程と、(ニ)該層間絶縁層から前記下層導体まで延びる開口部を形成する工程と、(ホ)該開口部内を導電材料で埋め込み、以て、接続孔を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置における接続孔の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/318

FI (4)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 M ,  H01L 21/318 M