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J-GLOBAL ID：200903000638067817

成膜方法及び装置

Inventor： 桐村 浩哉 ,  三上 隆司
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998000644
Publication number (International publication number)：1999200054
Application date： Jan. 06, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 被成膜物品表面に比較的低温下で生産性良く膜形成できるとともに、欠陥の無い或いは少ない良質の結晶性を有する膜を形成でき、被成膜物品の被成膜面の面積が大きい場合にも、形成される膜の面内均一性を高くすることができる成膜方法及び装置を提供する。【解決手段】 被成膜物品10の周縁部に対向する位置に設置した電極14aに電力供給して物品10の周縁部付近に主プラズマ13aを形成するとともに、物品10に対向する位置に設置したイオン源2のイオンビーム照射口近傍に設置した多孔電極14bに電力供給して、物品10に対応し且つ物品10から離れた位置に補助プラズマ13bを形成し、同時に多孔電極14bの孔14b’及び電極14aの開口部を通して物品10にイオンビームを照射する成膜方法及び装置。

Claim (excerpt)：

成膜原料ガスに電力供給して該ガスをプラズマ化し、該プラズマの下で被成膜物品上に膜形成する方法であって、該プラズマに該被成膜物品を曝すとともに該物品表面にイオンビームを照射して膜形成し、前記膜形成のための成膜原料ガスのプラズマ化にあたっては、該物品の周縁部に対向する位置に設置した電極に電力供給して該物品の周縁部付近に主プラズマを形成するとともに、該物品に対向する位置に設置したイオン源のイオンビーム照射口の近傍に設けた多孔電極に電力供給して該物品に対応し且つ該物品から離れた位置に補助プラズマを形成するようにし、該多孔電極を通して前記イオンビーム照射を行うことを特徴とする成膜方法。

IPC (5)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/54 B ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205