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J-GLOBAL ID:200903000648152316
含フッ素重合体の製造方法およびそれを用いた微細パターン形成方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
朝日奈 宗太
, 秋山 文男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004220766
Publication number (International publication number):2005234520
Application date: Jul. 28, 2004
Publication date: Sep. 02, 2005
Summary:
【課題】F2レーザー光のような短波長の露光光に対して透明性の高い含フッ素重合体を用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】(I)OH基含有含フッ素ノルボルネン誘導単位を有するフッ素重合体(A)を製造する工程;(II)前記OH含有含フッ素重合体(A)にX-CH2OR(XはCl、BrまたはI;Rは水素原子の一部または全てがフッ素原子に置換されていても良い炭素数1〜30の炭化水素基)の化合物を作用させ保護基含有含フッ素重合体(B)を製造する工程;(III)(a)前記保護基含有含フッ素重合体(B)、(b)光酸発生剤、(c)溶剤からなるレジスト組成物を製造する工程;(IV)基板あるいは基板上の所定の層にレジスト被膜を形成する工程;(V)被膜に選択的にエネルギー線を照射して露光する工程;および(VI)レジスト被膜を現像処理して、微細パターンを形成する工程を含む微細パターン形成方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
(I)式(1):
IPC (2):
FI (2):
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
F-Term (9):
2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025FA03
, 2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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特開昭63-27829号公報
-
国際公開第WO00/67072号パンフレット
-
含フッ素ノルボルネン誘導体の製造法
Gazette classification:再公表公報
Application number:JP2002007112
Applicant:ダイキン工業株式会社
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微細パターン形成方法
Gazette classification:再公表公報
Application number:JP2002007113
Applicant:株式会社半導体先端テクノロジーズ, ダイキン工業株式会社
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