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J-GLOBAL ID:200903000655422086
薄膜状半導体装置およびその作製方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992297650
Publication number (International publication number):1994124962
Application date: Oct. 09, 1992
Publication date: May. 06, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 特性・信頼性の優れた薄膜トランジスタを歩留りよく製造する方法を提供する。【構成】 絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する工程において、シリコン半導体上にゲイト絶縁膜103とゲイト電極104を形成し、ゲイト電極を陽極酸化105し、露出したシリコン半導体を覆って、モリブテン、タングステン、プラチナ(白金)、クロム、チタン、コバルト等の金属被膜107を形成し、この被膜に対して、上方もしくは基板側からレーザー等の強光を照射することによって、前記金属被膜とシリコンを反応させてシリサイド108を得て、このシリサイドによってソース/ドレインの実質的な抵抗を低減せしめる。
Claim (excerpt):
絶縁基板上にP型もしくはN型の2つのシリコン半導体の不純物領域と、該不純物領域間にある実質的に真性か、あるいは該不純物領域とは反対の導電型のシリコン半導体からなる活性層と、該活性層の上にあるゲイト絶縁膜と、該ゲイト絶縁膜に密着して存在するゲイト電極と、ゲイト電極の少なくとも側面に存在するゲイト電極を構成する材料の少なくとも1つからなる陽極酸化物と、前記2つの不純物領域の上に密着して形成され、前記不純物領域と実質的に同じ形状をした金属とシリコンからなる層状のシリサイド領域とを有することを特徴とする薄膜状半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/336
, H01L 29/784
FI (2):
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭62-032653
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特開昭63-178560
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特開昭58-023479
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