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J-GLOBAL ID：200903000655619106

パターン形式用レジスト構造とパターン形成方法

Inventor： 佐本 典彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993110828
Publication number (International publication number)：1994326018
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 二種類以上のレジスト膜を層状に重ねた多層レジストを用いたパターン形成方法における、レジストパターンの変形、レジスト界面での混合層の発生を防止する。【構成】 基板11上に第一のレジスト膜12が塗布形成され、その上に水溶性高分子膜13が塗布形成れ、その上に第二のレジスト膜14が塗布形成されたパターン形成用レジスト構造である。このレジスト構造を用いたパターン形成方法では、第一のパターンの製造工程中の変形や、2つのレジスト膜の界面にできる現像液で除去できない混合膜の形成がない。従って多層レジストを用いた良好な微細パターン形成が実現できる。

Claim (excerpt)：

基板上に第一のレジスト膜が塗布形成され、前記第一のレジスト膜上に水溶性高分子膜が塗布形成され、前記水溶性高分子膜上に第二のレジスト膜が塗布形成されていることを特徴とするパターン形成用レジスト構造。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-175725
  
• 特開昭62-239530