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J-GLOBAL ID：200903000668967600

酸化物薄膜の熱処理方法および熱処理装置

Inventor： 松井 裕一 ,  三木 浩史 ,  平山 美鈴 ,  大路 譲 ,  飯島 晋平
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994257968
Publication number (International publication number)：1996124923
Application date： Oct. 24, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】損傷を与えることなしに、リーク電流を低減させることができる酸化物薄膜の熱処理方法およびこれに用いる熱処理装置を提供する。【構成】重水素ランプ1と低圧水銀ランプ2からの光を照射しながら、酸化性ガス雰囲気中において酸化物薄膜4を熱処理する。重水素ランプ1によって酸素がオゾンに励起され、低圧水銀ランプ2によってオゾンが酸素ラジカルに励起される。【効果】プラズマを用いないため、酸化物薄膜に損傷が生ぜず、さらに、酸素ラジカルが常に生成され続けるので、300°C以上の高温においても熱処理を行なうことができ、高い絶縁耐圧を有する酸化物薄膜を作製できる。

Claim (excerpt)：

酸化物薄膜を酸化性雰囲気中において熱処理する方法であって、当該熱処理は少なくとも130nm以上170nm以下に発光波長を有する第1の光源から発する第1の光および少なくとも200nm以上300nm以下に発光波長を有する第2の光源から発する第2の光を、上記酸化物薄膜に照射して行われることを特徴とする酸化物薄膜の熱処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開平2-283022
  
• 特開昭61-199639
  
• 特開昭61-264719
  
• 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-023535   Applicant：ウシオ電機株式会社
• 半導体層及び絶縁層製造法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-513704   Applicant：ヘラオイス・ノーブルライト・ゲーエムベーハー

Cited by examiner (2)

• 特開平2-283022
  
• 特開昭61-199639