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J-GLOBAL ID：200903000671752770
多層セラミック基板のバイア形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995074129
Publication number (International publication number)：1996274467
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：
【要約】【目的】 複数層を同じ位置で貫通する直列バイアを形成する多層セラミック基板において、表面に直列バイア部分の突き出しが無く、凸凹が無い多層セラミック基板を得る。【構成】 複数のグリーンシート1a〜1dの同じ位置にバイア用の穴を円錐形または角錐形に設け、このバイア用の穴の開口径が小さい側から導体を充填し、開口径が大きい側に導体が充填されない空間部を残したバイアを形成する。また、バイア用の穴の一部にのみ導体を充填した。また、バイア部分のランドパターンをバイアに周囲にのみ形成した。またバイア用の穴のみを形成したグリーンシートを用い、2枚1組で1層とし、バイア用の穴の容積を広げた。また、このバイア用の穴の寸法をバイアよりも大きくした。これらの方法で加工した複数のグリーンシートを積層・圧着・焼成して一直線上に一連に重なる直列バイアを形成したものである。
Claim (excerpt)：
複数枚のグリーンシートを用い、この複数枚のグリーンシートの各々について同じ位置に一方の面側から他方の面側へ向かって径が縮まる円錐形または角錐形のバイア用の穴を明け、このバイア用の穴に前記他方の面側から一方の面側へ向かって導体ペーストを充填してバイアを形成し、このバイアが形成された複数枚のグリーンシートを前記一方の面が全て同一方向に向くように揃えて所定の順番で積層・圧着・焼成して一直線上に連続して重なる直列バイアを形成してあることを特徴とする多層セラミック基板のバイア形成方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 N
, H05K 3/40 K
