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J-GLOBAL ID：200903000673538865
半導体レーザー及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991311882
Publication number (International publication number)：1993129721
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 窓構造を有する半導体レーザーを容易にしかも制御性良く製造することを可能とする。【構成】 半導体レーザーにおいて、キャップ層6及びp型クラッド層5にメサ部7を設け、このメサ部7の周囲の部分のp型クラッド層5、活性層4及びn型クラッド層3中に不純物拡散またはイオン注入を行うことにより、窓8をメサ部7に対して自己整合的に形成する。この窓8の上に電流狭窄層9を設ける。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層と、レーザー発振を行わせるために流される電流の通路を制限するための電流狭窄層とを具備する半導体レーザーにおいて、上記第2のクラッド層にメサ部が設けられ、上記メサ部の周囲における少なくとも上記活性層を含む部分にレーザー光に対して透明な窓が設けられているとともに、上記窓の上に上記電流狭窄層が設けられていることを特徴とする半導体レーザー。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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