Pat

J-GLOBAL ID：200903000674903907

半導体装置の製造方法

Inventor： 井上 薫 ,  西井 勝則 ,  池田 義人 ,  正戸 宏幸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000084336
Publication number (International publication number)：2001274140
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体上に形成された絶縁膜の密着性向上、ショットキーダイオード特性の向上、オーミック電極のコンタクト抵抗の低減を目的とする。【解決手段】 アンモニアを含むガスを用いてGaN系半導体層2の表面をプラズマエッチングすることにより、GaN系半導体層2表面の改質あるいは清浄化を行う。

Claim (excerpt)：

アンモニアを含むガスを用いて(InxAl1-x)yGa1-yN層(0≦x≦1、0≦y≦1)の表面をプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323

FI (7)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/80 F

F-Term (35)：

4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD79 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17 ,  5F004AA14 ,  5F004BA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DB19 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-268466   Applicant：松下電子工業株式会社
• 3族窒化物半導体のドライエッチング方法及び電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-203130   Applicant：豊田合成株式会社