Pat
J-GLOBAL ID:200903000675962729
半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999182975
Publication number (International publication number):2001015595
Application date: Jun. 29, 1999
Publication date: Jan. 19, 2001
Summary:
【要約】【課題】 銅の拡散防止機能を有する窒化ホウ素を主成分とする材料を銅配線構造の絶縁膜として使用することにより、高速動作可能な半導体装置を提供することである。【解決手段】 この発明の半導体装置の1つは、半導体基板1表面上に形成された凹部3を有する絶縁層20と、凹部3を充填するように形成された第1の銅の導電層5と、第1の銅の導電層5に連通する孔8を有する第2の絶縁層21と、第1の銅の導電層5に接するように孔8を充填する第2の銅の導電層10と、第2の絶縁層21に形成され、第2の銅の導電層10に連通する凹部12を有する第3の絶縁層22と、第2の銅の導電層10に接し、凹部12を充填するように形成された第3の銅の導電層13とを備え、前記絶縁層が、ホウ素および窒素を含有する。
Claim (excerpt):
半導体基板表面上に形成された第1の凹部を有する第1の絶縁層と、前記第1の凹部を充填するように形成された第1の銅の導電層と、この第1の銅の導電層に連通する孔を有する第2の絶縁層と、前記第1の銅の導電層に接するように前記孔を充填する第2の銅の導電層と、前記第2の絶縁層に形成され、前記第2の銅の導電層に連通する凹部を有する第3の絶縁層と、前記第2の銅の導電層に接し、前記第3の絶縁層に形成された凹部を充填するように形成された第3の銅の導電層とを備え、前記第1の絶縁層、第2の絶縁層および第3の絶縁層の少なくともいずれかが、ホウ素および窒素を含有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/768
, H01L 21/283
, H01L 21/312
, H01L 21/318
FI (7):
H01L 21/90 B
, H01L 21/283 C
, H01L 21/312 A
, H01L 21/312 N
, H01L 21/318 B
, H01L 21/90 J
, H01L 21/90 V
F-Term (50):
4M104BB04
, 4M104BB32
, 4M104DD07
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD20
, 4M104EE08
, 4M104EE14
, 4M104EE18
, 4M104FF07
, 4M104FF13
, 4M104FF18
, 4M104FF21
, 4M104FF22
, 4M104HH20
, 5F033HH11
, 5F033HH32
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ32
, 5F033KK11
, 5F033KK32
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN02
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033QQ37
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR21
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033WW09
, 5F033XX09
, 5F033XX25
, 5F033XX28
, 5F058AA10
, 5F058AC10
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BC07
, 5F058BD02
, 5F058BD03
, 5F058BD09
, 5F058BD19
, 5F058BF02
, 5F058BJ02
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