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J-GLOBAL ID:200903000691718889

ドライエッチング装置および方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003089454
Publication number (International publication number):2004296953
Application date: Mar. 28, 2003
Publication date: Oct. 21, 2004
Summary:
【課題】ドライエッチング技術において、処理基板の大型化や被処理エッチング膜の複層化を行う場合のエッチングの面内均一性を向上させる。【解決手段】真空処理室1内にガスを供給しつつ、真空処理室1内を排気してこの真空処理室1内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源8から電極4に高周波電力を供給することで真空処理室1内にプラズマを発生させ、電極4に載置された被処理基板3上の被エッチング膜2をエッチングするエッチング装置である。電極4に接続されてこの電極4に高周波電力を供給するための複数の給電線5と、任意の給電線5を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段6とが設けられている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
真空処理室内にガスを供給しつつ、前記真空処理室内を排気してこの真空処理室内を所定の真空度に制御しながら、高周波電源から電極に高周波電力を供給することで前記真空処理室内にプラズマを発生させ、前記電極に載置された被処理基板上の被エッチング膜をエッチングするエッチング装置であって、前記電極に接続されてこの電極に前記高周波電力を供給するための複数の給電線と、任意の給電線を導通状態あるいは非導通状態に選択できる選択手段とを設けたことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (1):
H01L21/3065
FI (1):
H01L21/302 101B
F-Term (5):
5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06

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