半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸山隆夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999116490
Publication number (International publication number)：2000012952
Application date： Apr. 23, 1999
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 1ウエハからの素子収量を大幅に増大でき、且つ均一で高性能な特性を有する超高集積化された半導体光導波路アレイの製造方法を提供する。【解決手段】本方法は、ストライプ状成長領域に、量子井戸層を有する半導体多層構造、またはバルク層からなる半導体多層構造を選択的に結晶成長させてなる光導波路を複数本アレイ状に備えた半導体光導波路アレイの製造方法である。本方法では、並列に延在する複数本のストライプ状成長領域をそれぞれ誘電体薄膜で挟んで形成し、各成長領域に選択的に半導体多層構造を有機金属気相成長法により結晶成長させる際、各成長領域が、結晶成長時の反応管内での原料種の拡散長よりも短い間隔で並列に形成されており、各成長領域の間に配設された誘電体薄膜の幅はWa であり、2本の最外側の成長領域の各々の外側に配設された第1最外誘電体薄膜の幅Wm1及び第2最外誘電体薄膜の幅Wm2が、それぞれ、Wm1>Wa 及びWm2>Wa である。

Claim (excerpt)：

基板上に誘電体薄膜に挟まれて形成されたストライプ状成長領域に、量子井戸層を有する半導体多層構造、またはバルク層からなる半導体多層構造を選択的に結晶成長させてなる光導波路を複数本アレイ状に備えた半導体光導波路アレイの製造方法において、並列に延在する複数本のストライプ状成長領域をそれぞれ誘電体薄膜で挟んで形成し、各成長領域に選択的に量子井戸層を有する半導体多層構造、またはバルク層からなる半導体多層構造を有機金属気相成長法により結晶成長させる際、前記各成長領域が、結晶成長時の反応管内での原料種の拡散長よりも短い間隔で並列に形成されており、前記各成長領域の間に配設された誘電体薄膜の幅はWa であり、2本の最外側の成長領域の外側にそれぞれ配設された第1最外誘電体薄膜の幅Wm1及び第2最外誘電体薄膜の幅Wm2が、Wm1>Wa 及びWm2>Wa であることを特徴とする半導体光導波路アレイの製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/22 610 , G02B 6/122

FI (2)：

H01S 3/18 669 , G02B 6/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-178402 Applicant：株式会社日立製作所

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