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J-GLOBAL ID：200903000706110947

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 杉山 尚宏 ,  岡本 篤人 ,  谷 俊彦 ,  神谷 信雄
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 萼 経夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996103719
Publication number (International publication number)：1997268099
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 大型で且つ高純度の炭化珪素(SiC)単結晶を容易に且つ安価に製造することができる方法を提供する。【解決手段】 加熱された雰囲気(成長空間14)中でSi蒸気と含C化合物ガスとを直接反応させ、SiC種結晶12上にSiC単結晶15を成長させるSiC単結晶の製造方法であって、Si蒸気の供給源として溶融Si13からのSi蒸気を用い、含C化合物ガスとして炭化水素ガス9(例えば、プロパンガス)を用いる方法。

Claim (excerpt)：

加熱された雰囲気中で珪素蒸気と含炭素化合物ガスとを直接反応させ、炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、珪素蒸気の供給源として溶融珪素からの珪素蒸気を用い、含炭素化合物として炭化水素を用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205