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J-GLOBAL ID：200903000712157360

混晶半導体装置およびその製造方法

Inventor： 中田 義昭 ,  上田 修
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991236146
Publication number (International publication number)：1993013328
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体混晶を用いた半導体装置に関し、混晶半導体を用いつつ、合金散乱を抑制することのできる混晶半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置における電荷キャリアが通過する領域またはその近傍の領域の少なくとも一部が、2成分混晶を形成する各成分であるIII-V族化合物の(110)面単分子層の規則的交互積層で形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体装置における電荷キャリアが通過する領域またはその近傍の領域の少なくとも一部(2)が、2成分混晶を形成する各成分であるIII-V族化合物の(110)面単分子層(6、7)の規則的交互積層で形成されていることを特徴とする混晶半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/68 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812