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J-GLOBAL ID：200903000716766018

炭化珪素半導体素子の製造方法

Inventor： 河合 潤 ,  山本 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154266
Publication number (International publication number)：2006332357
Application date： May. 26, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【課題】 グラファイト層を除去し、密着性の高い配線用電極が形成できるSiC半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 Niシリサイド膜23の表面に形成されたグラファイト層24をスパッタ、酸化、還元もしくは過熱による気化によって除去する。これにより、グラファイト層24が除去されたNiシリサイド膜23の表面に、配線用電極25を成膜することが可能となる。したがって、グラファイト層24によって配線用電極25とNiシリサイド膜23との密着性が低下することを防止でき、配線用電極25が剥がれることを防止することが可能となる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

炭化珪素(21)の表面にNi膜(22)を形成する工程と、 熱処理を行うことで、前記Ni膜(22)をシリサイド化させ、前記炭化珪素(21)の表面にNiシリサイド膜(23)を形成する工程と、 前記Niシリサイド膜(23)を形成する工程において前記Niシリサイド膜(23)の表面に形成されるグラファイト層(24)を除去する工程と、 前記グラファイト層(24)が除去された前記金属シリサイド膜(23)の上に配線用電極(25)を形成する工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/28

FI (2)：

H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301S

F-Term (9)：

4M104AA03 ,  4M104BB21 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104HH08