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J-GLOBAL ID：200903000722172065
レーザ照射方法及び装置、微細加工方法及び装置、並びに薄膜形成方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004020536
Publication number (International publication number)：2005212013
Application date： Jan. 28, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：
【課題】 例えば固体表面において原子・分子レベルでの剥離や原子・分子レベルでのイオン化(即ち、脱離イオン化)を効率的に行えるようにする。【解決手段】 固体表面から剥離すべき所望の剥離深さ及び固体表面の材質に応じて、固体表面に照射されることで固体表面に非熱的なイオン化放出を引き起こす低フルーエンス領域内のフェムト秒レーザに係る照射フルーエンスの値を、低フルーエンス領域内で設定する。そして、固体表面に対して、このように設定された照射フルーエンスの値でフェムト秒レーザを照射する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
固体表面から剥離すべき所望の剥離深さ及び前記固体表面の材質に応じて、前記固体表面に照射されることで前記固体表面に非熱的なイオン化放出を引き起こす低フルーエンス領域内のフェムト秒レーザに係る照射フルーエンスの値を、前記低フルーエンス領域内で設定する設定工程と、
前記固体表面に対して前記設定された照射フルーエンスの値で前記フェムト秒レーザを照射する照射工程と
を備えたことを特徴とするレーザ照射方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
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超短パルスレーザーを用いた微細加工方法及びその加工物
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-012391
Applicant：科学技術振興事業団, アイテック株式会社
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レーザー誘起破壊及び切断形状を制御する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-363495
Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティーオブミシガン
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基板の加工方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-034854
Applicant：松下電器産業株式会社
Cited by examiner (2)
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レーザー誘起破壊及び切断形状を制御する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-363495
Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティーオブミシガン
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基板の加工方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-034854
Applicant：松下電器産業株式会社
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