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J-GLOBAL ID：200903000731587405

シリコンウェハを利用したプローブカード

Inventor： 桝井 昇一 ,  橋口 原
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993014327
Publication number (International publication number)：1994230030
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路のウェハ状態での試験に利用されるプローブカードのうち、シリコンウェハを利用して作成されるプローブカードにおいて、プローブカード上の金属層と測定される集積回路上の電極用金属との接触抵抗を低減する。【構成】 プローブカードにおいて、シリコンウェハ1が支持体となる。被測定素子(DUT)の金属パッドに押しあてられる金属層4は、測定に必要となるDUTの上の金属パッドの数だけ用意される。透明絶縁膜3は、金属層4を保持する役割、シリコンウェハの上側から空気圧を印加する際にもれを生じないように封止する役割、DUT上の金属パッドの位置をプローブカードの上から見ることができるようにする役割、および、支持体となるシリコンウェハを異方性エッチングするときのエッチストップ層としての役割をする。

Claim (excerpt)：

シリコンウェハ1に形成されたプローブカードにおいて、先端が尖った金属層4と、それを保持するための透明絶縁層3を持つことを特徴とするプローブカード。

IPC (2)：

G01R 1/073 ,  H01L 21/66