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J-GLOBAL ID：200903000738940623

半導体装置

Inventor： 小野 芳照
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000211805
Publication number (International publication number)：2002026298
Application date： Jul. 12, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 配線層が何層もある場合であっても、一部の配線層のマスクのみを変更することにより、従来よりも容易に仕様の変更に対応できる半導体装置を提供する。【解決手段】 第1の領域及び第2の領域を有する半導体基板10と、複数のゲート電極31、32と、不純物拡散領域11〜16と、第1及び第2の領域において形成された所定のトランジスタのゲート電極又は不純物拡散領域に開口を通して電気的に接続された第(M-1)層の配線51〜56と、第1の領域内においてのみ形成された所定のトランジスタのゲート電極又は不純物拡散領域に開口を通して電気的に接続された第M層の配線71〜72とを含むN層の配線層とを具備する(NとMは2≦M≦Nの関係にある整数)。

Claim (excerpt)：

第1の領域及び第2の領域を有する半導体基板と、前記半導体基板の第1及び第2の領域上にそれぞれゲート絶縁膜を介して形成された複数のゲート電極と、各々のゲート電極の両側の前記半導体基板内に形成され、第1及び第2の領域において複数のトランジスタを構成する不純物拡散領域と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成されたN層の配線層であって、第1及び第2の領域において形成された複数のトランジスタのゲート電極と不純物拡散領域との内の所定のものにそれぞれ開口を通して電気的に接続された第(M-1)層の複数の配線と、第1の領域内においてのみ形成された複数のトランジスタのゲート電極と不純物拡散領域との内の所定のものにそれぞれ開口を通して電気的に接続された第M層の複数の配線とを含む前記N層の配線層と(NとMは2≦M≦Nの関係にある整数)、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/118 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/82 M ,  H01L 21/82 R ,  H01L 21/82 B ,  H01L 21/90 B

F-Term (23)：

5F033HH00 ,  5F033JJ00 ,  5F033KK01 ,  5F033MM21 ,  5F033UU05 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033VV06 ,  5F033VV17 ,  5F033XX34 ,  5F064AA03 ,  5F064AA04 ,  5F064BB02 ,  5F064BB07 ,  5F064CC12 ,  5F064DD05 ,  5F064DD19 ,  5F064DD26 ,  5F064EE22 ,  5F064EE23 ,  5F064FF02 ,  5F064FF24 ,  5F064FF48