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J-GLOBAL ID：200903000747012020
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995137975
Publication number (International publication number)：1996330930
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 GaAsFETで構成されるシャントFETを配置したスイッチ回路における信号の歪みの発生を防止し、無歪みで伝送しうる電力を増大させる。【構成】 送信信号入力端子6とアンテナ端子8との間の送信系スイッチ回路には、信号伝達線20aにスルーFET2aが介設され、シャント接合点Aから接地まで分岐する分岐線21aにはシャントFET1aが介設されている。アンテナ端子8と受信系端子7との間の受信系スイッチ回路にも、信号伝達線20bにスルーFET2bが、分岐線21bにシャントFET1bが設けられている。各端子とスイッチ回路との間には、スイッチ回路内へのインピーダンスを低くするインピーダンス変換回路9a,9b,9cが介設されている。送受信を切り換える際、各シャントFETのドレインに印加される信号の電圧振幅を抑制して、シャントFETがピンチオフしないことに起因する歪みの発生を防止する。
Claim (excerpt)：
信号伝達線における信号の流通をオン・オフ切換えるためのスイッチング素子と、上記信号伝達線のシャント接合点から分岐する分岐線に介設されGaAsFETからなるシャントFETとを有するスイッチ回路を備えた半導体装置において、上記信号伝達線の上記シャント接合点よりも前段側に介設され、上記シャント接合点への入力信号のインピーダンスを低減するインピーダンス低減手段と、上記信号伝達線の上記シャント接合点よりも後段側に介設され、信号伝達線を流れる信号のインピーダンスを増大させるインピーダンス増大手段とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H03K 17/693
, H01P 1/15
, H01P 5/02
, H03K 17/16
H03K 17/693 A
, H01P 1/15
, H01P 5/02 A
, H03K 17/16 H
