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J-GLOBAL ID：200903000748155452

一酸化炭素ガス検知素子

Inventor： 福井 清
Applicant, Patent owner： 新コスモス電機株式会社
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993202160
Publication number (International publication number)：1995055745
Application date： Aug. 16, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 パージすることなく一酸化炭素ガス検知を定常的に、且つ、高性能に行うことの出来る安価な一酸化炭素ガス検知素子3を提供すること。【構成】 原子価制御された酸化スズ(SnO2)を主成分とする半導体部2に、酸化ランタン(La2O3)および金(Au)を担持させてある。

Claim (excerpt)：

原子価制御された金属酸化物半導体を主成分とする半導体部を備えた一酸化炭素ガス検知素子であって、前記半導体部に、ランタノイド金属もしくはイットリウム(Y)の少なくとも一種の金属酸化物および金(Au)を担持させてある一酸化炭素ガス検知素子。