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J-GLOBAL ID：200903000752537327

インバータ

Inventor： 原田 真 ,  弘津 研一 ,  松波 弘之 ,  木本 恒暢
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  松波 弘之 ,  木本 恒暢
Agent (1)： 亀井 弘勝 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999020215
Publication number (International publication number)：2000224867
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【解決手段】FET構造の変換素子を採用するインバータにおいて、前記変換素子S1〜S6がSiC(Silicon Carbide)JFETで形成されていることを特徴とする。【効果】スイッチング周波数が高く、かつ低損失のインバータを実現することができる。

Claim (excerpt)：

FET構造の変換素子を採用するインバータにおいて、前記変換素子がSiC(Silicon Carbide)JFETで形成されていることを特徴とするインバータ。

IPC (3)：

H02M 7/537 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (2)：

H02M 7/537 E ,  H01L 29/80 C

F-Term (9)：

5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5H007AA03 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びそれを用いたインバータ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-172274   Applicant：株式会社日立製作所
• 電力カットオフ装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-511576   Applicant：エヌピーアール・テクノロジー・リミテッド