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J-GLOBAL ID:200903000755694326

ろう材、これを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 鴨田 朝雄 ,  鴨田 哲彰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003380257
Publication number (International publication number):2005138174
Application date: Nov. 10, 2003
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】 半導体素子のダイボンディングや電子部品の組立て等で用いるのに好適で、Pbを含まない新規なSn/Sb系ろう材を提供する。【解決手段】 Sbを30〜65質量%、Pを0.001〜0.5質量%を含み、残部がSnおよび不可避不純物である。さらに、Ag、Cu、FeおよびNiのうちの1種以上を合計で0.01〜5質量%を添加してもよい。【選択図】 なし
Claim 1:
Sbを30〜65質量%、Pを0.001〜0.5質量%を含み、残部がSnおよび不可避不純物であることを特徴とするろう材。
IPC (2):
B23K35/26 ,  H01L21/52
FI (3):
B23K35/26 310A ,  B23K35/26 310Z ,  H01L21/52 E
F-Term (2):
5F047BA05 ,  5F047BA19
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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