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J-GLOBAL ID：200903000767281973

半導体洗浄用炭酸ジエチルの製造方法

Inventor： 久保田 和孝
Applicant, Patent owner： 株式会社サンシ-ル
Agent (1)： 川浪 薫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992358020
Publication number (International publication number)：1994196464
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体洗浄用炭酸ジエチルを提供する。【構成】 塩素を含有する炭酸ジエチルを弱アルカリ水溶液で洗浄し、純水で中性になるまで洗浄し、次いで脱水して半導体洗浄用炭酸ジエチルを製造する。

Claim (excerpt)：

塩素を含有する炭酸ジエチルを弱アルカリ水溶液で洗浄し、純水で中性になるまで洗浄し、次いで脱水することを特徴とする、半導体洗浄用炭酸ジエチルの製造方法

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ZAB ,  C07C 69/96 ,  C11D 7/26