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J-GLOBAL ID：200903000768649818

ドライエツチング方法

Inventor： 門村 新吾 ,  辰巳 哲也 ,  長山 哲治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210516
Publication number (International publication number)：1993013383
Application date： Jul. 29, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを使用せずにSi系材料層の異方性エッチングを実用的な低温域で行う。【構成】 ウェハを-70°に冷却し、S2 F2 を用いてDOPOS層3をエッチングする。S2 F2 から解離生成するF* の作用とSF+ ,S+ 等の入射イオンのアシストによりエッチングが進行する一方、プラズマ中に放出された遊離のSが低温冷却されたウェハの表面に堆積し、側壁保護膜5を形成する。したがって、CFCガスやレジスト・マスクに由来する炭素系ポリマーに依存せずに異方性加工が行える。しかも、エッチング終了後にはSはウェハ加熱もしくはアッシングにより容易に除去できるので、パーティクル汚染を招かない。S2Cl2 を用いればAl系材料層もエッチング可能であり、コロージョン耐性も向上する。

Claim (excerpt)：

被エッチング基板の温度を室温以下に制御しながら、S2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10,S3 Cl2 ,S2 Cl2 ,SCl2 ,S3 Br2 ,S2 Br2 ,SBr2 から選ばれる少なくとも1種類のハロゲン化イオウを含むエッチング・ガスを用いてシリコン系材料層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-217917
  
• 特開平2-309631
  
• 特開昭61-256725