スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001219809
Publication number (International publication number)：2003031697
Application date： Jul. 19, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】配線を簡略化してメモリセル面積を縮小して、高集積化することが可能なSRAM装置を提供すること。【解決手段】ゲート電極118の側壁に、ゲート電極側壁絶縁膜119を介してゲート電極側壁導電膜120が形成される。このゲート電極側壁導電膜120をゲート電極側壁絶縁膜119に対して選択性のある異方性エッチングにより適宜除去することにより、ソース領域とドレイン領域との分離及びゲート電極側壁導電膜120による局所配線の形成が同時に行なわれる。さらに、ゲート電極側壁絶縁膜119に対して選択性のあるエッチングによりゲート電極118も適宜除去されるから、ゲート電極配線も同時に形成される。

Claim (excerpt)：

素子分離領域と活性領域とを有する半導体基板と、上記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、上記ゲート電極の少なくとも一部の側壁に設けられたゲート電極側壁絶縁膜と、上記ゲート電極側壁絶縁膜の少なくとも一部の側壁に設けられ、上記素子分離領域で区分された複数の活性領域上にまたがって設けられたゲート電極側壁導電膜とを含むことを特徴とするスタティック型ランダムアクセスメモリ装置。

IPC (2)：

H01L 21/8244 , H01L 27/11

F-Term (19)：

5F083BS03 , 5F083BS15 , 5F083BS27 , 5F083BS47 , 5F083BS48 , 5F083GA03 , 5F083GA09 , 5F083HA01 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA06 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083NA01 , 5F083PR36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

LDDトランジスタを有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-249164 Applicant：株式会社東芝
スタティック型半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-300699 Applicant：株式会社東芝
SOI構造の半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-344247 Applicant：シャープ株式会社

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