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J-GLOBAL ID：200903000772176215

有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置および電子機器

Inventor：
湯田坂 一夫

About 湯田坂 一夫

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田中 英樹

About 田中 英樹

, 
宮坂 正美

About 宮坂 正美


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005080739
Publication number (International publication number)：2006261073
Application date： Mar. 18, 2005
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：
【課題】有機半導体膜の特性の低下を好適に防止し得る有機半導体装置を製造する有機半導体装置の製造方法、信頼性の高い有機半導体装置および電子機器を提供すること。【解決手段】有機EL素子40は、本発明の有機半導体装置の製造方法を適用して、画素電極(第1の電極)41上に、有機EL層43を形成する第1の工程と、有機EL層43の画素電極41と反対側に、対向電極opを形成する第2の工程と、対向電極op上に、Si、NおよびOを主たる構成元素とする材料で構成される保護膜60を形成する第3の工程とを経て製造される。そして、第3の工程では、シラザン構造を有するポリマーを主材料として構成される被膜を形成し、この被膜に紫外線を照射することにより保護膜60を得る。【選択図】図4
Claim 1：
第1の電極の一方の面側に、有機半導体膜を形成する第1の工程と、 前記有機半導体膜の前記第1の電極と反対側に、第2の電極を形成する第2の工程と、 前記第2の電極の前記有機半導体膜と反対側に、Si、NおよびOを主たる構成元素とする材料で構成される保護膜を形成する第3の工程とを有し、 前記第3の工程において、シラザン構造を有するポリマーを主材料として構成される被膜を形成し、該被膜に紫外線を照射することにより、前記保護膜を得ることを特徴とする有機半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/04 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786
FI (5)：
H05B33/10 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 619A
F-Term (27)：
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA02 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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