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J-GLOBAL ID：200903000777255415

電歪センサおよびアクチュエータ

Inventor： スミッツ,ヨハネス ジー.
Applicant, Patent owner： トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシィティ
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994500616
Publication number (International publication number)：1996501899
Application date： May. 18, 1993
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】検知と作動のための電歪不均質バイモルフを製作する方法であって、Si3N4の層の上にZnO層を堆積することを含む。電歪材料はたわみを起こす電圧にバイアスされる。その結果生じるたわみの大きな振幅は、印加電圧と2次の関係がある。

Claim (excerpt)：

電歪デバイスを用いる方法であって、 基板に固着する電歪材料を設け、 電界を前記材料に加えるため、デバイスを与える前記電歪材料の、異なる領域に電気接点を設け、 バイアス電圧に2次的に依存してたわむ前記電歪材料を、ある電圧にバイアスしてたわませる、ことを含む方法。

IPC (3)：

H01L 41/09 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/08

FI (2)：

H01L 41/08 M ,  H01L 41/08 Z