Pat
J-GLOBAL ID:200903000794817320
ポジ型レジスト組成物
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001301795
Publication number (International publication number):2003107710
Application date: Sep. 28, 2001
Publication date: Apr. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 パターン倒れ、エッチング時の表面荒れ及び疎密依存性が軽減されたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)3種の特定の繰り返し単位を含有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位、一般式(II)で表される繰り返し単位及び式(III)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)において、Rは水素原子又はメチル基を表し、Aは単結合又は連結基を表し、ALGは下記一般式(pI)〜一般式(pV)のいずれかを表す。【化2】式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、及びR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。【化3】一般式(II)において、Rは水素原子又はメチル基を表し、Aは単結合又は連結基を表す。BLGは、鎖状3級アルキル基を表す。【化4】一般式(III)中、R30は、水素原子又はメチル基を表す。R31〜R33は、各々独立に、水素原子、水酸基又はアルキル基を表し、但し少なくとも一つは水酸基を表す。
IPC (3):
G03F 7/039 601
, C08F220/12
, H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601
, C08F220/12
, H01L 21/30 502 R
F-Term (45):
2H025AA13
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL03Q
, 4J100AL04Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA04P
, 4J100BA05Q
, 4J100BA05S
, 4J100BA11S
, 4J100BA14P
, 4J100BA15P
, 4J100BA15S
, 4J100BA16S
, 4J100BA20P
, 4J100BA20S
, 4J100BA34S
, 4J100BA58S
, 4J100BB01Q
, 4J100BC02P
, 4J100BC04P
, 4J100BC07P
, 4J100BC08P
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC12P
, 4J100BC53S
, 4J100CA05
, 4J100CA06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
-
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-146775
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-321347
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-277570
Applicant:富士通株式会社
-
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-200017
Applicant:東京応化工業株式会社
-
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-043161
Applicant:ダイセル化学工業株式会社
-
放射線感光材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-276597
Applicant:富士通株式会社
-
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-152860
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
化学増幅ポジ型レジスト、およびそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-128838
Applicant:日本電気株式会社
-
デジタル衛星放送の情報伝送システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-356078
Applicant:船井電機株式会社, 株式会社船井電機研究所
Show all
Return to Previous Page