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J-GLOBAL ID：200903000801637537

薄膜積層体、薄膜積層体の製造方法、並びにこの薄膜積層体を用いた薄膜トランス、薄膜インダクタ、および薄膜磁気ヘッド

Inventor： 梅津 英治 ,  室橋 重征 ,  大湊 久美子 ,  佐々木 義人 ,  畑内 隆史
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998287682
Publication number (International publication number)：2000114041
Application date： Oct. 09, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】ポリイミド樹脂などからなる絶縁層上に、磁性層を積層した薄膜積層体によって形成された薄膜トランスなどの薄膜磁気素子は、磁性層の磁気特性、特に透磁率が低下するという欠点があった。磁性層を成膜するときに、絶縁層から発生する水蒸気などのガスが磁性層中に混入することが原因であると推測された。【解決手段】基板上に絶縁層22が、積層された積層体を、真空中でデハイドロベークにかけ、さらにスパッタエッチングをした後に、バリア層23を介して第1磁性層24を積層した薄膜積層体は、磁性層の透磁率の低下を防止できる。その薄膜積層体を用いて形成された薄膜トランスは、トランス効率の低下がない。

Claim (excerpt)：

基板上に、絶縁層と、その上に形成された磁性層とを有する薄膜積層体において、前記絶縁層の上に、Al系酸化物、Si系窒化物、Si、Si系酸化物、から選ばれる1種あるいは2種以上からなるバリア層が形成され、このバリヤー層の上に前記磁性層が形成されていることを特徴とする薄膜積層体。

IPC (4)：

H01F 10/26 ,  G11B 5/31 ,  H01F 17/00 ,  C08G 73/10

FI (5)：

H01F 10/26 ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/31 A ,  H01F 17/00 B ,  C08G 73/10

F-Term (27)：

4J043RA34 ,  4J043ZA46 ,  4J043ZB11 ,  4J043ZB47 ,  5D033BA03 ,  5D033BA71 ,  5D033DA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049BA12 ,  5E049BA14 ,  5E049DB14 ,  5E049DB16 ,  5E049DB20 ,  5E070AA01 ,  5E070AA11 ,  5E070AB03 ,  5E070BA20 ,  5E070BB01 ,  5E070CB03 ,  5E070CB04 ,  5E070CB12 ,  5E070CB20 ,  5E070CC02 ,  5E070CC10