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J-GLOBAL ID：200903000809582227
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992060252
Publication number (International publication number)：1993267361
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ダイボンド用樹脂を使用することなく、しかも、ワイヤボンディングの信頼性を高めた半導体装置およびその製造方法を提供する【構成】 半導体素子4を、半田5によって半導体素子4よりも小さな面積のマウント部3に接合し、接合された状態の半導体素子4のマウント部3からはみ出した部分を支持して半導体素子4の表面側の引出用電極とインナーリード7とをワイヤボンディングできるようにしている。
Claim (excerpt)：
リードフレームのマウント部に半導体素子を接合し、該半導体素子の表面側の引出用電極とインナーリードとをワイヤボンディングした構造の半導体装置であって、前記マウント部は、前記半導体素子よりも小さな面積を有し、前記半導体素子が半田によって接合されるものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/52
, H01L 23/12
, H01L 23/50
