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J-GLOBAL ID：200903000811230761

マイクロ波半導体装置

Inventor： 飯高 早輝子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993008699
Publication number (International publication number)：1994224227
Application date： Jan. 22, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 マイクロ波半導体装置において、FETのドレインを分割するとともに、出力側に並列接続する共振回路を設けて接地し、入力信号の二次の高調波のインピーダンスを短絡に変換する。【構成】 半絶縁性半導体基板上に形成されマイクロ波帯の周波数で用いられる電界効果型トランジスタを含むマイクロ波半導体装置において、前記電界効果型トランジスタが、分割形成されたドレイン電極と、前記半絶縁性半導体基板上にて前記ドレイン電極と接地との間に接続されこの電界効果型トランジスタが用いられるマイクロ波帯の周波数の二次高調波を共振周波数に設定した共振回路とを具備してなることを特徴とするマイクロ波半導体装置。

Claim (excerpt)：

半絶縁性半導体基板上に形成されマイクロ波帯の周波数で用いられる電界効果型トランジスタを含むマイクロ波半導体装置において、前記電界効果型トランジスタが、分割形成されたドレイン電極と、前記半絶縁性半導体基板上にて前記ドレイン電極と接地との間に接続されこの電界効果型トランジスタが用いられるマイクロ波帯の周波数の二次高調波を共振周波数に設定した共振回路とを具備してなることを特徴とするマイクロ波半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/76

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公昭57-024266
  
• 特開平3-030504
  
• 特開平1-198080