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J-GLOBAL ID：200903000821339990

磁気抵抗効果型薄膜ヘツド

Inventor： 小川 弘志 ,  今岡 裕文
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991340015
Publication number (International publication number)：1993151533
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 狭トラック化に適したシ-ルドタイプの磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供することにある。【構成】 基板上に略平行に配置した第1及び第2のシ-ルド11,17間にシ-ルドギャップ12,15を介してMR素子14を配置し、このMR素子に所定のトラック幅を形成するように第1及び第2の電極部11a,17aを設けた構成にして、シ-ルドと電極とを兼用するようにして、電極の厚みを薄くして実効トラックへの影響を少なくする。

Claim (excerpt)：

基板上に略平行に配置した軟磁性材から成る第1及び第2のシ-ルド間に絶縁層から成るシ-ルドギャップを介して磁気抵抗素子を配置し、この磁気抵抗素子に所定のトラック幅を形成するように第1及び第2の電極部を設け、バイアス印加手段によりバイアス磁界を印加する構成の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記シ-ルドギャップ側の第1及び第2のシ-ルドの一部を、前記磁気抵抗素子と接触させて前記第1及び第2の電極部としたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。