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J-GLOBAL ID：200903000824473051
気相成長方法及びその装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994228117
Publication number (International publication number)：1996097153
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 気相成長法でシリコンエピタキシャルウエーハを形成するに当たり、スループットが画期的に向上する方法およびそのための装置を提供する。【構成】 シリコン基板とシリコン源となるシリコン板とを狭い間隔で対向配置し、シリコン板をシリコン基板よりも約100°C高温に保持するとともに、反応系内にハロゲンガスを導入して不均等化反応を利用してエピタキシャル成長させる。
Claim 1：
反応室内にシリコン基板とシリコン源となるシリコン板とを狭い間隔を介して対向配置し、該シリコン板を該シリコン基板より10〜120°C高温に保持するとともに、反応室内をハロゲンガス雰囲気とし、シリコン基板上にシリコン結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする気相成長方法。
IPC (2)：
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