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J-GLOBAL ID：200903000834589635

単電子トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 大野 公隆 ,  井上 敦央 ,  藤岡 一志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999252894
Publication number (International publication number)：2001077346
Application date： Sep. 07, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 室温で動作可能でかつ特性ばらつきの小さい単電子トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 SOI基板の表面を相対湿度20%以下の雰囲気中で走査型プローブ顕微鏡探針と試料間に電圧を印加した状態で走査することにより表面の酸化層を形成させる。そして、その酸化層11表面の性質が未走査領域10に比して異なることを利用して、有機分子を含む溶液中に浸漬し、選択的に未走査領域10上に有機単分子層8を形成する。その後、上記有機単分子層8をレジストとして選択エッチング処理を施すことによって、酸化シリコン層3上にソース電極4,ゲート電極5,ドレイン電極6および整列したナノメートルサイズのシリコン島7Aを同時に形成する。

Claim (excerpt)：

ソース電極とドレイン電極とを結ぶ線上に所定の間隔をあけて整列するように上記ソース電極と上記ドレイン電極との間に形成され、クーロンブロッケードを発現可能な複数の半導体の島を有することを特徴とする単電子トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/06 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 29/06 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 622

F-Term (16)：

2H096AA27 ,  2H096CA05 ,  2H096CA20 ,  2H096HA17 ,  2H096LA30 ,  5F110BB13 ,  5F110BB20 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 単一電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-163959   Applicant：日本電気株式会社