メモリカード

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高橋敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994103522
Publication number (International publication number)：1995311708
Application date： May. 18, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】大容量のデータを短時間でアクセスすることができる不揮発性のメモリカードを提供することを目的とする。【構成】外部から供給される連続アドレス(A0〜A9)に応じて書き込みデータ(D0〜D7)を記憶するメモリカードであって、外部から供給されるアドレス(A0〜A9)に応じてイネーブル信号(CE0〜CE3)、メモリブロック選択信号(A6〜A9)およびブロック内アドレス信号(A0〜A3)を生成するアドレスデコーダ(2)と、ブロック内アドレス信号が示すアドレスに書き込みデータを一時的に蓄えるバッファ(rb0〜rb3)と、所定容量のデータを記憶することができる複数のメモリブロックを有する不揮発性のメモリ(rm0〜rm3)とを含む複数のメモリデバイス(DV0〜DV3)とを有し、書き込みデータはイネーブル信号に応じて順番に選択される複数のメモリデバイス内のバッファの中の1つに蓄えられ、メモリデバイスはバッファに蓄えられた所定容量のデータをメモリブロック選択信号に応じたメモリブロックに転送する。

Claim (excerpt)：

外部から供給される連続アドレス(A0〜A9)と書き込みデータ(D0〜D7)に応じて該書き込みデータを記憶するメモリカードであって、外部から供給されるアドレス(A0〜A9)に応じてイネーブル信号(CE0〜CE3)、メモリブロック選択信号(A6〜A9)およびブロック内アドレス信号(A0〜A3)を生成するアドレスデコーダ(2)と、各々が、前記イネーブル信号に応じて前記ブロック内アドレス信号が示すアドレスに書き込みデータを一時的に蓄えるバッファ(rb0〜rb3)と、所定容量のデータを記憶することができる複数のメモリブロックを有する不揮発性のメモリ(rm0〜rm3)とを含む複数のメモリデバイス(DV0〜DV3)とを有し、書き込みデータは前記イネーブル信号に応じて順番に選択される前記複数のメモリデバイス内のバッファの中の1つのバッファに蓄えられ、前記メモリデバイスは前記バッファに蓄えられた所定容量のデータを前記メモリブロック選択信号に応じた前記メモリ内のメモリブロックに転送するメモリカード。

IPC (2)：

G06F 12/06 523 , G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-288384
特開平1-286056
特開昭63-048688

Show all

Return to Previous Page