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J-GLOBAL ID：200903000838918846

半導体超微粒子及びそれを含有してなる薄膜状成形体

Inventor： 大津 猛 ,  齋藤 康子
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003003269
Publication number (International publication number)：2003286292
Application date： Jan. 09, 2003
Publication date： Oct. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 良好な溶媒への溶解性、ポリマー中での分散性、優れた塗膜性、及び該半導体結晶の量子効果による制御された吸発光特性を兼ね備えた半導体超微粒子を提供する。【解決手段】 ポリアルキレングリコール残基が下記一般式(1)で表される官能基中の酸素原子を介して半導体結晶表面に結合されてなる半導体超微粒子。(一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ水素原子、水酸基、置換基を有していてもよい炭素数8以下のアルキル基、アリール基、アルコキシル基及びトリアルキルシリル基、並びにハロゲン原子から選ばれるいずれかを表し、R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。)

Claim (excerpt)：

ポリアルキレングリコール残基が下記一般式(1)で表される官能基中の酸素原子を介して半導体結晶表面に結合されてなる半導体超微粒子。【化1】(一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ水素原子、水酸基、置換基を有していてもよい炭素数8以下のアルキル基、アリール基、アルコキシル基及びトリアルキルシリル基、並びにハロゲン原子から選ばれるいずれかを表し、R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。)

IPC (9)：

C07F 9/32 ,  C01G 9/02 ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/00 ,  C01G 11/02 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ZNM ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/14

FI (9)：

C07F 9/32 ,  C01G 9/02 A ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/00 ,  C01G 11/02 ,  C09K 11/00 A ,  C09K 11/08 ZNM G ,  H01L 33/00 D ,  H05B 33/14 B

F-Term (23)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G047AA02 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD03 ,  4G047BA01 ,  4G047BB01 ,  4G047BC02 ,  4G047BD03 ,  4H001CA02 ,  4H001CC13 ,  4H001XA08 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA40 ,  4H001XA48 ,  4H050AA05 ,  4H050AB91 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41