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J-GLOBAL ID：200903000840313315
半導体射線検出器
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994010378
Publication number (International publication number)：1995218642
Application date： Feb. 01, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】高検出効率を可能とする半導体射線検出器を提供する。【構成】直方体型n型高抵抗CdTe単結晶の最大面積の対向面に、インジウムの対向電極を形成する。この時、この対向面の面方位は(100)であり、電極面に対して垂直な面(110)とする。この対向電極間に高電圧をバイアスし、対向電極に対して平行な方向から入射する放射線を検出する。【効果】X線やγ線等の放射線に対しても充分な阻止能を得ることができ、結果として高感度、高速、高検出効率性能を有すこととなる。
Claim (excerpt)：
少なくとも一対の平行平板型電極をもつ半導体放射線検出器において、対向する電極間の半導体に電極面に平行な方向から放射線が入射し、入射方向の半導体の長さが入射放射線のエネルギーを吸収するに充分な長さを有することを特徴とする半導体放射線検出器。
IPC (2)：
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