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J-GLOBAL ID：200903000841554200

半導体集積回路の配線方法

Inventor： 堀川 真裕美
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 村山 光威
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006032204
Publication number (International publication number)：2007214329
Application date： Feb. 09, 2006
Publication date： Aug. 23, 2007
Summary：

【課題】一度配置した大規模セルを極力動かさず、その周辺の配線混雑を特定し、電源配線形状の変更により大規模セル周辺に配線領域を割り当て配線性を改善する。【解決手段】大規模セルを配置した電源配線後に、半導体チップ全面の概略配線経路を求める概略配線工程と、取得した概略配線経路を基に詳細配線経路を求める詳細配線工程を有し、概略配線工程で取得した混雑度および詳細配線工程で取得した配線短絡箇所の有無や不適切な配線などの配線違反数を大規模セル周辺の必要領域内で評価し、評価結果を基に電源配線を形状変更して、大規模セル周辺に配線領域を割り当て、配線性を改善する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

大規模セルを含む半導体集積回路の配線方法であって、 半導体チップ上の前記大規模セルの配置位置を決定し、前記大規模セルの電源配線をした後、前記半導体チップ全面の概略配線経路を求める概略配線工程と、取得した前記概略配線経路を基に詳細配線経路を求める詳細配線工程とを有し、前記概略配線工程または前記詳細配線工程で取得した混雑度から、前記大規模セルの電源配線の形状を変更することを特徴とする半導体集積回路の配線方法。

IPC (2)：

H01L 21/82 ,  G06F 17/50

FI (3)：

H01L21/82 L ,  G06F17/50 658K ,  H01L21/82 B

F-Term (13)：

5B046AA08 ,  5B046BA05 ,  5B046BA06 ,  5F064AA06 ,  5F064DD02 ,  5F064EE03 ,  5F064EE15 ,  5F064EE16 ,  5F064EE52 ,  5F064EE58 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09 ,  5F064HH11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 配置・配線方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-316295   Applicant：川崎製鉄株式会社