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J-GLOBAL ID：200903000844640795

半導体デバイス及びその製造方法

Inventor： ウオルフ ヤコウエツツ ,  ヘルムート フイツシヤ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996277259
Publication number (International publication number)：1997116196
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 メサ構造の半導体基体を備えた半導体デバイス、特に発光ダイオードにおいて、光の減結合を改善したものを提供する。【解決手段】 湾曲した側面9が半導体基体1の上面2に隣接して凹面であり、下面3に隣接して凸面に形成される。複数個のこのような半導体デバイスを製造する方法においては、メサエッチングは半導体ウェハ10を個々のチップに分割した後に行われる。

Claim (excerpt)：

上面(2)、下面(3)及び少なくとも1つの湾曲した側面(9)を有する半導体基体(1)を備え、外から見て湾曲した側面(9)が下面(3)に隣接して凸面、上面(2)に隣接して凹面であり、下面(3)の面積が上面(2)の面積よりも大きいことを特徴とする半導体デバイス。