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J-GLOBAL ID：200903000845477731

半導体チップの製造方法

Inventor： 畠井 宗宏 ,  福岡 正輝 ,  林 聡史 ,  檀上 滋 ,  大山 康彦
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002348011
Publication number (International publication number)：2004186200
Application date： Nov. 29, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】ダイシング時の半導体ウェーハの位置ずれが生じ難く、ダイシング後に半導体チップを取り出すに際し、半導体チップを容易に剥離することができる、半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ1にレーザー光の照射によりガスを発生させるガス発生剤が含有されている粘着剤層4が片面に形成されているダイシング用粘着テープ2を貼り合わせ、レーザー光の照射により、半導体チップ1A間に溝1cを形成し、該溝1cの下方の粘着剤層部分4aの該レーザー光のエネルギーを付与することにより、粘着剤層部分4aにおいてガスを発生させ、照射を続けることにより、溝1cを半導体ウェーハ1の下面1bに至らせると共に、半導体チップ1Aの下面の外周縁から下面中央側に粘着剤層が後退するようにガス発生量を増加させ、次に半導体チップ1Aをダイシング用粘着テープ2から剥離する、半導体チップの製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハから多数の半導体チップを製造方法する方法であって、 半導体ウェーハを用意する工程と、 前記半導体ウェーハに、片面に光の照射によりガスを発生させるガス発生剤を含む粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付する工程と、 前記ダイシング用粘着テープに貼付された半導体ウェーハにレーザー光を照射し、個々の半導体チップとなる部分間に溝を形成すると共に、該溝の下方の粘着剤層部分において気泡を発生させる工程と、 レーザー光の照射を続けて溝が半導体ウェーハの下面に至るように個々の半導体チップに分割すると共に、半導体チップの下面の外周縁から粘着剤層を半導体チップの下面中央側に後退させる工程と、 前記半導体チップを前記ダイシング用粘着テープから剥離する工程とを備える半導体チップの製造方法。

IPC (2)：

H01L21/301 ,  H01L21/68

FI (3)：

H01L21/78 B ,  H01L21/68 N ,  H01L21/78 Y

F-Term (11)：

5F031CA02 ,  5F031DA15 ,  5F031FA05 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031GA23 ,  5F031HA78 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031MA39 ,  5F031PA20