Pat

J-GLOBAL ID：200903000848818610

炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法

Inventor： リプキン,ロリ・エイ ,  スレイター,デーヴィッド・ビー,ジュニアー ,  パルモウアー,ジョン・ダブリュー
Applicant, Patent owner： クリー リサーチ インコーポレイテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997518224
Publication number (International publication number)：1999505073
Application date： Oct. 28, 1996
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】改良された酸化物層と、酸化物をベースとしたデバイスからの改良された性能とを得るための方法が開示されている。本発明の方法は、炭化ケイ素層上の酸化物層を、SiCがかなりの速度で酸化し始める温度未満の温度ではあるが、酸化性ガス源の酸化物層中への拡散を可能にするよう充分に高くて、しかも炭化ケイ素の実質的なさらなる酸化が避けられるような温度にて、酸化物層を緻密化するに足る、そして酸化物層と炭化ケイ素層との間の界面を改良するに足る時間にわたって酸化性ガス源に暴露する工程を含む。

Claim (excerpt)：

SiCがかなりの速度で酸化し始める温度未満の温度ではあるが、酸化性ガス源の酸化物層中への拡散を可能にするよう充分に高くて、しかも炭化ケイ素の実質的なさらなる酸化が避けられるような温度にて、酸化物層を緻密化するに足る、また酸化物層と炭化ケイ素層との間の界面を改良するに足る時間にわたって、炭化ケイ素層上の酸化物層を酸化性ガス源に暴露する工程を含む、改良された酸化物層と、酸化物をベースとしたデバイスからの改良された性能とを得る方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 B