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J-GLOBAL ID：200903000857440566

半導体記憶装置

Inventor： 望月 裕彦 ,  竹前 義博 ,  児玉 幸徳
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 宇井 正一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993245245
Publication number (International publication number)：1994203594
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は冗長機能を有する半導体記憶装置に関し、冗長メモリ部分に不良箇所が発生しても置き換える不良箇所の位置を記憶するROMを増加させることなしに効率的に不良救済が行える半導体記憶装置の提供を目的とする。【構成】 メモリセルを有する通常メモリ部分1と、通常メモリ部分1の複数個分の不良箇所を置き換え可能な冗長メモリ部分2と、置き換える不良箇所の位置を記憶する置換位置記憶手段3とを備え、置換位置記憶手段3に記憶された不良箇所の位置が選択された時に、冗長メモリ部分2が選択される半導体記憶装置において、冗長メモリ部分2が置き換え可能な不良箇所の個数は置換位置記憶手段3が記憶可能な不良箇所の位置の個数より小さく、置換位置記憶手段3に記憶された不良箇所を置き換える冗長メモリ部分2内の置き換え単位をどれでも任意に設定できる選択手段4を備えるように構成する。

Claim (excerpt)：

メモリセルを有する通常メモリ部分(1)と、該通常メモリ部分(1)の不良箇所を所定の置き換え単位で複数単位分置き換え可能な冗長メモリ部分(2)と、置き換える単位の位置を記憶する置換位置記憶手段(3)とを備え、該置換位置記憶手段(3)に記憶された置き換え単位内のメモリセルが選択された時に、前記冗長メモリ部分(2)が選択される半導体記憶装置において、前記冗長メモリ部分(2)が置き換え可能な置き換え単位の個数(m)は、前記置換位置記憶手段(3)が記憶可能な置き換え単位の個数(n)より大きく、前記置換位置記憶手段(3)に記憶された置き換え単位内のメモリセルが選択された時に前記冗長メモリ部分(2)の任意の置き換え単位が選択されるように設定する選択手段(4)を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 17/00