半導体膜の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口朔生 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001140731
Publication number (International publication number)：2002299239
Application date： Apr. 03, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】レーザアニールにより粒径の大きい多結晶半導体膜を作成する【解決手段】ガラス基板1上に光吸収性の膜2を形成し、薄いバッファー膜3を形成してから、その上に非晶質等の半導体膜4を形成し、レーザ光5を照射して半導体膜を結晶化させる。レーザ光5を照射した際、半導体膜4が溶融されると同時に光吸収性膜2は加熱される。溶融した半導体膜4からの熱流出が抑えられるので、結晶化すると粒径が大きく、且結晶性がよい多結晶半導体膜が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に半導体膜を形成し、更に前記半導体膜に前記基板側からのレーザ光照射により多結晶化させる多結晶半導体膜の形成方法において、前記基板と前記半導体膜の間に前記レーザ光に対して半透明の光吸収膜を形成し、前記レーザ光を前記半導体膜と前記光吸収膜の両膜に同時に吸収させる多結晶半導体膜製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 626 C

F-Term (22)：

5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052EA11 , 5F052EA12 , 5F052JA01 , 5F052JA09 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110PP03 , 5F110PP11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-088323
半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-269872 Applicant：三洋電機株式会社

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