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J-GLOBAL ID：200903000862060488
液晶表示装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991354805
Publication number (International publication number)：1993173184
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 アクティブマトリクスタイプ液晶表示装置の駆動基板に形成されるトレンチの形成効率を向上させるとともに、トレンチにテーパを付ける事を目的とする。【構成】 液晶表示装置は一対の基板1及び2と両者の間に挟持された液晶層3とから構成される。駆動用基板1の表面には、マトリクス状に配列された画素電極5と、この画素電極5に接続された薄膜トランジスタ6と前記薄膜トランジスタ6を介して電荷を保持する為の付加容量7とが形成されている。この駆動用基板1は石英等からなる絶縁基材8とこの絶縁基材上に形成された窒化シリコン等からなる透明絶縁膜9とからなる積層構造を有している。薄膜トランジスタ6は、絶縁基材8及び透明絶縁膜9の積層構造に形成された側面がテーパを有する溝部10に沿って形成されている。透明絶縁膜9は絶縁基材8に対して高いエッチングレートを有しており溝部10を高速で形成できるとともにテーパを同時に付する事ができる。
Claim (excerpt)：
マトリクス状に配列された画素電極とこの画素電極に接続された薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタを介して電荷を保持する為の付加容量とを備えた一方の基板と、対向電極を有し前記一方の基板と対向配置された他方の基板と、両方の基板間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置において、前記一方の基板が絶縁基材とこの絶縁基材上に形成された絶縁膜とからなるとともに、前記薄膜トランジスタは前記絶縁基材及び絶縁膜に形成された側面がテーパを有する溝部に沿って形成された半導体層と、この半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成され且つ前記溝部を埋める様に配置されたゲート電極とからなる事を特徴とする液晶表示装置。
IPC (3)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
